庞学林在生物医学研究中心待了将近一下午的时间，根据石毅、杨和平、安德鲁·怀特他们给出的动态APT各项参数，提出了许多有用的修改意见。
他在生化危机世界基本上天天都要用上动态APT技术，对这个设备的性能和各方面参数都了如指掌，因此给出各种有益的意见也就不足为奇了。
石毅、杨和平、安德鲁·怀特也不以为意，庞学林名声在外，再加上和庞学林经常接触，对于这家伙身上出现什么奇迹，他们都不会觉得奇怪了。
当然，对于动态APT技术，他们三人同样报以厚望。
冷冻电镜技术能获得诺贝尔化学奖，那么比冷冻电镜技术更具现实意义的动态APT技术，无疑也能获得。
而且庞学林已经获得过一次诺贝尔化学奖，他们三人，正好可以瓜分一期诺奖。
庞学林在生物医学研究中心待了一下午时间，了解了一下APT设备的研**况，第二天，又去了徐兴国领导的碳基芯片研发中心。
目前全球半导体材料的发展已经接近物理极限，集成电路代工领域最强的台积电，已经完成3纳米工艺的商业化量产，2纳米工艺也接近研发完成。
而中国最强的半导体制造商中芯国际，依旧卡在7纳米工艺制程上，与台积电依旧有着两代的差距。
之前中美贸易战的时候，美国曾经对华为发起过全面技术封锁，号称任何只要使用了美国技术的企业，都不许和华为合作。
直到锂空气电池横空出世，中国凭借锂空气电池的巨大优势，才算解除了西方国家的技术封锁，华为面临的危机也迎刃而解。
但即便如此，在涉及集成电路高端制造领域，中国与西方国家依旧有着不小的差距。
别的不说，单单阿斯麦公司的极紫外光刻机（EUV），汇聚了所有西方国家最顶尖的制造技术，堪称人类有史以来最精密的工业品。
与航空发动机一起，成为工业制造皇冠上的一颗明珠。
在硅基集成电路时代，西方国家有着巨大的先发优势，中国很难在这一领域与西方国家展开竞争。
这一点，就连庞学林也没什么办法。
让他在理论上有所突破可以，让他快速提升国内工业制造水平，庞学林同样一筹莫展。
硅基芯片制程上的差距，让中国很难在短时间内追上西方发达国家。
但硅基领域没办法弯道超车，并不意味着没有另辟蹊径的办法。
碳纳米管被科学家们给予了厚望。
这与其本身的特性息息相关。
首先，碳纳米管芯片身量虽小，但节能增效能力却更强。
碳纳米管是由单层碳原子卷成管状的碳材料，导电性能极好，而且，碳元素在地球上的储量十分丰富。
碳纳米管的直径可以根据工艺的不同制成几纳米到几十纳米长；管壁厚度更小，根据壁层碳原子数量不同，碳纳米管可以分为单壁碳纳米管和多壁碳纳米管；在同样集成度的情况下，碳纳米管芯片比硅元器件体积更小。
同时，碳纳米管的韧性极高，可以承受弯曲、拉伸等应力，电信号传输过程的延迟很短，所以，从材料物理属性上看，碳纳米管具有替代硅芯片的潜力。
其次，碳材料具有多种同素异形体，除了碳纳米管以外，还有人们熟知的金刚石、石墨、富勒烯、活性炭等等。
其导电性质强烈地依赖于结构，可以由绝缘体转变为半导体、由半导体变为导体。
而且，它的导电方式和原理与传统的晶体管不一样，有更强的传导能力。
另外，现有的晶体管在导电过程中无可避免地会产生漏电流，漏电会导致发热，而碳纳米管可以避免这一问题，故而能效相对较高。
从理论上讲，碳纳米管芯片的能量利用率有望超过现有芯片的能效比（60%至70%）。
发热问题的解决也给芯片的散热降低了压力。
硅晶体管的功耗很大，在小小的芯片空间内，发热极其严重，为了不使芯片过热无法工作，还需要分配部分的功耗用于芯片的散热，这使得硅晶体管功耗增大。
而碳纳米管芯片本身产热就少，加上碳纳米管本身的热导率很高，有效地减少了用于散热的能耗，所以碳纳米管的能效会远远高于以硅为材料的晶体管。
