“李工”。
“李工你来了。”。
“李工”。
刚一进入到研究所内，看见李枭的技术员就向李枭打着招呼道。
李枭也是笑着和众人打着招呼，看到一个熟人，李枭也是问道：“罗教授呢？”。
“罗教授在一号实验室，正在等着测试结果。”。
“CMOS集成电路有结果了？”，闻言李枭也是眼前一亮。迫不及待的问道。
要知道CMOS集成电路，也被叫做互补金属氧化物半导体。
而它的核心就在“互补”上，电路由两种不同类型的晶体管组成，也就是PMOS和NMOS，在静态的时候会有一个处于关闭状态 ，也正因如此，这使得静态功耗极低，只有在开关切换的瞬间，才会产生显着的功耗。
此外CMOS技术还具有高噪声容限，也就是抗干扰性能，以及宽工作电压范围等优点。
也正因为如此，CMOS集成电路是现代电子设备的基石，没有它很多电子设备都制造不出来。
他之前就知道，在CMOS集成电路的研究上已经取得了很大的进展，但真没想到竟然这么快，他以为就算是再快也要等个半年一年左右。
不过随后李枭就又冷静了下来，就算是能制造出CMOS集成电路，但如果无法量产的话也是白搭。
要知道CMOS集成电路的制造，绝对离不开光刻机，光刻机也是芯片制造中最核心、最关键的设备之一。
如果没有光刻机，无论芯片设计多么精妙，但始终只是设计，没有办法把芯片转移到硅片上，也就自然制造不出集成电路。
国内现在的光刻机，还是接触式光刻，这种光刻机比起接近式光刻机差的还很远，效率有限，虽然也能够制造出集成电路，但只能制造简单的集成电路，稍微复杂点的就不够看了。
如果实在不行的话，那么他也就先只能先用双极型晶体管集成电路。
双极型晶体管集成电路，算的上世界上最早的一块集成电路，就是双极型晶体管集成电路，国内的第一块集成电路也是双极型晶体管集成电路。
在这方面，国内在今年的时候，已经算是比较成熟了，良品率可以达到70%。
虽然它也有很多优点。
像是开关速度快、信号传输延迟极低，还具备高电流驱动能力，无需额外缓冲器，还有就是抗辐射能力强，适配极端环境更是优秀，就算是在- 50℃以下的低温环境中，工作依旧稳定。
但如果要和CMOS集成电路比的话，还是差了很多。
首先就是低功耗上，双极型集成电路即使不工作，也会因 PN 结正向偏置产生持续电流，功耗可以达到毫瓦级。
其次就是集成度上。
双极型晶体管是纵向结构，如果工艺微缩到3微米以下，就会出现漏电、寄生电容过大等问题。
CMOS集成电路就不一样了，它上面的晶体管是由栅极、源极、漏极组成，可通过光刻、离子注入等工艺持续缩小尺寸，也就是说单芯片晶体管数量没有上限，像是后世的CerebrasWSE芯片上面就集中了4万亿晶体管。
双极型晶体管集成电路上线最多也就是近万。
此外还有抗干扰能力强，工作稳定性都要更高，作电压范围宽，适配场景更灵活，相比下双极型电路的工作电压范围就稍微较窄了，电压波动容易导致性能异常。
如果用双极型晶体管集成电路制造150机的话，其效果肯定比CMOS集成电路差很多。
李枭肯定希望用CMOS集成电路。
等到李枭到实验室的时候，隔着玻璃窗，罗教授正在看着里面几名工程师在测试。
看到李枭过来，罗教授也是愣了一下，他知道李枭这一阵子很忙，也就有些疑惑道：“你怎么来了？那边忙完了？”。
“差不多忙完了，有了点新想法，现在CMOS实验测试是什么情况？”。
“这已经是第六十一迭代了，总体并不太顺利，我们的工艺还是不太成熟。”。
“那这一次呢？”。
“这一次。”，说到一半，罗教授顿了顿这才道：“或许能成？”。
