“在干法刻蚀工艺中，我们得避免使用氟基气体混合物作为等离子体刻蚀的刻蚀气体，这样避免对于沟道侧壁和硅外延层的破坏。”
“同时，此举也避免了使用高能离子轰击对于硅外延层的破坏，以及造成的硅外延层界面高度的不均匀性等问题。”
“通过多晶硅和帽氧化物层的湿法去除，顺便形成了硅外延层表面的硅槽，这样就能够有效控制浅硅槽的形成，从而获得好的二次多晶硅的沉积效果，避免了L脚缺陷的出现。”
“如此一来，我们就能够获得更为良好和均匀的外延生长和二次多晶硅沉积效果，从而优化3DNAND闪存中的沟道结构，并提高了3DNAND闪存产品的整体性能。”
周华强一边陪着技术员进行着3D掩膜的制作，一边冲他进行着技术讲解，整个人完全沉浸其中，完全没有意识到身后观众们的悄悄离开。
大约又过了三个小时，当3D存储芯片所需要的3D掩膜终于制作完毕时，周华强才用力的伸了一个懒腰，长长深呼吸了一口气。
“小王，有了掩膜，这下存储芯片的流片应该就不会失败了。”
“那你继续工作，我就先回去了，等你好消息。”
周华强笑呵呵的冲激动不已的技术员说道，然后挥挥手，这才离开了实验室。
而再次回到办公室时，他这才无语发现，竟然有人打起了麻将！
定睛一看，吴国安竟然也位列其中！
“周华强回来了，掩膜的细节问题都解决了？碰。”
吴国安惊讶问道，这才过去三个小时，他们连一锅都还没结束，没想到周华强就回来了，只能由衷感慨他的效率之快！
“嗯，等一会儿应该就能二次流片了，大概这周末，我们的存储芯片就可以开始正式生产。”
周华强点点头，淡淡道。
可就在他拿起矿泉水准备补充水分时，忽然察觉办公室再次安静了下来。
随后，便听到几个人传来异口同声的诧异！
“什么？二次流片？”
“合着你去解决问题，结果直接制作出了3D掩膜？！”
