“也就是说，只要你在接下来的时间里可以完成堆叠技术的设计，3DNAND闪存，就可以水到渠成！”
周华强滔滔不绝的同时，已然心潮翻涌，亢奋无比。
因为此时他所说的垂直堆叠技术，其实在前世的国际世界被称为VTFET技术，也是世界上最为领先的技术！
为什么这么说？因为这个技术，是一直到2021年，才由IBM和三星共同提出来的垂直堆叠技术！
可以毫不夸张的说，就算时间再次来到2021年，在全球存储芯片都渐渐来到摩尔定律的极限时，此项技术的出现，都可以再次推动摩尔定律突破新的极限！
但如果周华强和吴国安一起，可以在2002年就将VTFET技术研发出来，就算只停留在一个简陋到不能再简陋的程度，那他们也可以做到技术上的全球领先！
而如果让历史的车轮按照正常轨迹行进，那么一直到2007年，3DNAND的概念才会被提出，2013年，3DNAND才会被产出。
随后，3D堆叠还需要经历CTF技术，MOSFET技术，FinFET技术等等技术的迭代，才能发展到VTFET这一步！
而且就算因为周华强的出现，导致了全球芯片行业技术的快速升级，那么想要追上“华强科技”的脚步，国际也需要至少10年时间！
但十年之后，华强科技内的科学家们，绝对已经将VTFET技术升级到顶尖水平，甚至可以继续研发出新的更加强大的3D堆叠技术！
技术上弯道超车？
那些不容易追赶的领域，的确可以使用弯道超车战术，而且最好使用弯道超车技术，比如手机、电脑，因为这些领域的落后实在太大，单单是弯道超车就需要付出全部力气。
但芯片理论技术、以及未来的民用无人机、新能源汽车这种可以抢先冲刺的领域，要冲就要一骑绝尘，直接将领先拉开到一个国际上望尘莫及的程度！
只有如此，周华强心目中的科技帝国，才拥有足够的底气去应对西方的科技制衡，然后给科技帝国的其他落后领域，争取到足够的发育时间！
而只要形成如此局面，那么迟早有一天，周华强的科技帝国，就将真正实现全面领先！
