“吴教授，既然存储芯片新的研究方向是3DNAND，所以在展开研究前，我是必须要先了解一下什么是2DNAND的。”
“所以在过去几天时间里，我一边在跑公司的事情，一边自学了一下这方面的知识。”
“在一块存储芯片当中，存在着大量的晶体管，而每个晶体管内又含有栅极叠层、沟道区、源极、漏极这些部件。”
“源极和漏极经过化学掺杂，使他们要么富含移动电子，要么缺乏移动电子，也就是分别为n型和p型。至于沟道区则具有与源极和漏极相反的掺杂。”
“于是，当我们向芯片施加电压时，晶体管内就会产生电子的移动，从而形成电流，以实现数据存储或读写的功能。”
“而且已经证实的是，只要存储芯片中的晶体管数量越多，可以储存数据的容量就越大，这也是为什么世界范围内，所有人都希望将晶体管和栅极越做越小的原因。”
周华强铿锵有力道，以最简洁的语句将自己过去这些天“自学”到的知识点说了出来，顿时让吴国安眼前一亮。
心道虽然这些内容都是存储芯片当中再基础不过的知识点，但想要将其中的逻辑捋清楚，就不是一般大二学生可以做到的事情。
按照这个标准看的话，周华强开学都不应该直升大二，而是直升大三才对！
“继续。”
不过吴国安并没有被自己的突发奇想带跑遍，既然周华强说到这里都没有半点儿卡壳，那就说明他确实已经有了后续想法。
“吴教授，在2DNAND时代，随着晶体管尺寸不断缩小，NAND闪存的密度也越来越大，可是当密度提升到一定程度时，2DNAND存储当中的电荷数量就会越来越受到限制。”
“届时，NAND闪存的读写容量也就很难再进一步提升，而且对于存储阵列来说，耦合效应和干扰也会变成一个重大问题。”
“所以，这个时候我们就需要转变一下思路，让我们的NAND闪存从2D平面开始向3D堆叠结构过渡，将提升密度的解决思路从提高制程工艺转变为堆叠多层。”
“如此一来，我们不仅可以制造出密度更大的3DNAND闪存，还能解决掉2DNAND闪存中增加容量的同时性能降低的问题，实现容量、速度、能效及可靠性等全方位提升！”
说到这里，周华强的声音越发洪亮，情绪也越发激动。
毕竟虽然在2D层面上摩尔定律还没有走到极限，但只要他们完成一次3D堆叠，那么不管其他厂家将芯片制程工艺提升到了何等程度，他们就可以立即在其基础上完成堆叠，然后实现1+12的效果！
看上去有些无赖？
确实如此，但没办法，在拥有新技术的情况下，3DNAND就是可以如此的无赖！
换句话说，只要3D堆叠技术一日不被其他厂家攻破，那么他们的存储芯片，就永远可以取得领先！
“说的不错，如果我们真的可以研发出3DNAND，似乎真的可以实现你所说的这几个点！”
“不过有个问题，你刚刚说的这些，其实还是简单的解释了一下提出3DNAND的思路所在，但两层晶体管到底应该如何堆叠，你还是没有说呀。”
听到这里，吴国安也终于变得热血沸腾，就像是找到了生命的意义，恨不得立即投身于新的研究。
可巧妇难为无米之炊，虽然眼前已经浮现出了3DNAND的美妙，但没有“菜谱”，这道菜如何才能完成？！
“吴教授，我的想法很简单，就像是盖房子嘛。”
“我们只需要在第一层晶体管上面铺设一层足够坚固的水泥，然后在水泥上放置第二层晶体管就好了。”
“当然，晶体管的堆叠方式肯定也不能完全按照盖房子那样来进行，毕竟一二层晶体管之间的点子也是需要流动的，那么在这种情况下，我们就需要再设立一些中空的柱子，以实现电子的流动。”
“整体来看，就像是咱们龙国传统建筑中的榫卯结构，让每一层的晶体管以榫卯的形式完成垂直堆叠，如此一来，存储芯片的密度就可以在短时间内获得巨大提升！”
“至于这些水泥到底应该使用什么材料……吴教授，我觉得应变硅这种材料就非常不错！”
